MOS管和IGBT的区别MOS管和IGBT都是常用的功率半导体器件,它们有以下几个区别:结构不同:MOS管是一种场效应管,由栅极、漏极和源极组成,栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成,它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成,其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。工作原理不.......
静电放电(ESD)的基本模型 静电放电现象指的是芯片在制造,运输,使用的过程中都会积累的电荷,这些电荷可以通过芯片引脚进入电路内部,瞬间产生高达数安的电流,从而将芯片烧毁。 静电放电产生的失效机制主要有两种,一种是热击穿,一种是电击穿。产生热击穿的根本原因是ESD脉冲产生了瞬间大电流,这时因为半导体组件的热.......
静电放电(ESD)-概念,现象及危害 静电放电(ESD)是两个带电物体之间由于接触电短路或介电击穿而突然流动的电流。摩擦充电或静电感应可能导致静电积聚。当带不同电荷的物体靠近在一起或它们之间的电介质击穿时,通常会产生可见的火花,从而产生静电放电。 静电放电可以产生引人注目的电火花(闪电以及伴随的雷声,是大规.......
静电放电(ESD)试验方法-不接地设备 不接地设备或设备的不接地部件不能如1类供电设备自行放电。若在下一个静电放电脉冲施加前电荷未消除,受试设备或受试设备的部件上的电荷累积可能使电压为预期试验电压的两倍。因此,双重绝缘设备的绝缘体电容经过几次静电放电累积,可能充电至异常高,然后以高能量在绝缘击穿电压处放电。 .......
深入理解RCD钳位电路工作过程,低成本完成EMI整改目标一、RCD钳位电路反激式开关电源的RCD钳位电路由电阻R1、电容C1和二极管D1组成,如下图,其中:Lk为变压器的漏感,Lp为变压器原边绕组电感、Cds为Q1的寄生电容、T1为变压器、Q1是开关管、D2是输出整流二极管,E1是输出滤波电容。变压器漏感Lk与原边电感.......
客户为什么选择你们做EMC整改?贵司到底有什么优势?近日,电子产品的电子元器件国产化在加速,随之而产生的EMC问题也越来越多,一智牛科技在电子产品元器件国产化的进程中发挥重要的EMC设计与整改能力,为广大客户提供了快速,可靠,低廉的EMC设计整改方案,获得了广大客户的一致好评!客户A问:我们公司有一个汽车电子产品需要做.......
EMC整改深度解析-接地多了未必是件好事! 问题来源:近日接到某电子研发公司咨询,公司开发的储能逆变,AC220V的3线输入(带PE),在进行CE传导测试的时候,PE线不接的时候,直接改善了30dB多的噪声。问题分析 上述是我们的电源架构,我们的干扰源存在于电桥,HV MOS, LV MOS,我们需要把整个传导.......
1、EMC的概念是时候?EMC三要素是什么?怎么样利用EMC三要素解决EMC问题?考生答:EMC概念是在同一电磁环境中,设备能够不因为其他设备的干扰影响其正常工作,同时不对其他设备产生影响工作的干扰的能力。EMC三要素是干扰源,耦合途径和敏感设备在确定干扰来源时,要对各个部分进行隔离分析,确定干扰发生的途径,最终有针对.......