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PCB设计中针对EMC设计有哪些屏蔽措施在 PCB 设计中，常见的屏蔽措施有以下几种：一、屏蔽罩金属屏蔽罩：使用金属材料（如铜、铝等）制成的屏蔽罩是最常见的屏蔽措施之一。它可以将敏感电路或元件完全包围起来，阻挡外部电磁干扰的进入，同时也防止内部的电磁辐射泄漏出去。屏蔽罩应接地良好，以确保其屏蔽效果。导电塑料屏蔽罩：导电.......
【公司新闻】热烈祝贺，由一智牛科技主持的EMC技术研讨会在深圳会展中心热烈召开，电磁兼容（emc）认证量产一致性....
开关电源 EMI/EMC设计的30余个建议由于开关电源的开关特性，容易使得开关电源产生极大的电磁兼容方面的干扰，本文主要介绍了电源 PCB 设计的要点。1， 几个基本原理：任何导线都是有阻抗的；电流总是自动选择阻抗最小的路径；辐射强度和电流、 频率、回路面积有关；共模干扰和大 dv/dt 信号对地互容有关；降低 EMI.......
一、开关电源动态上冲和下冲的概念开关电源动态上冲和下冲是开关电源在工作过程中的一种现象。动态上冲是指当负载电流突然减小或消失时，输出电压瞬间上升的现象；动态下冲则是指当负载电流突然增大时，输出电压瞬间下降的现象。这两种现象在实际工作中都可能会造成开关电源的故障，因此需要采取措施加以避免或解决。二、开关电源动态上冲和下冲.......
MOS管和IGBT的区别MOS管和IGBT都是常用的功率半导体器件，它们有以下几个区别：结构不同：MOS管是一种场效应管，由栅极、漏极和源极组成，栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成，它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成，其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。工作原理不.......
静电放电（ESD）的基本模型 静电放电现象指的是芯片在制造，运输，使用的过程中都会积累的电荷，这些电荷可以通过芯片引脚进入电路内部，瞬间产生高达数安的电流，从而将芯片烧毁。 静电放电产生的失效机制主要有两种，一种是热击穿，一种是电击穿。产生热击穿的根本原因是ESD脉冲产生了瞬间大电流，这时因为半导体组件的热.......
静电放电（ESD）-概念，现象及危害 静电放电（ESD）是两个带电物体之间由于接触电短路或介电击穿而突然流动的电流。摩擦充电或静电感应可能导致静电积聚。当带不同电荷的物体靠近在一起或它们之间的电介质击穿时，通常会产生可见的火花，从而产生静电放电。 静电放电可以产生引人注目的电火花（闪电以及伴随的雷声，是大规.......
静电放电（ESD）试验方法-不接地设备 不接地设备或设备的不接地部件不能如1类供电设备自行放电。若在下一个静电放电脉冲施加前电荷未消除,受试设备或受试设备的部件上的电荷累积可能使电压为预期试验电压的两倍。因此，双重绝缘设备的绝缘体电容经过几次静电放电累积,可能充电至异常高，然后以高能量在绝缘击穿电压处放电。 .......
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